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    IGBT富士2MBI140VXB-120P-54IGBT
    发布者:王经理  发布时间:2022-12-20 10:04:00  访问次数:60

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     IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。

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