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 1.IGBT结构和工作原理
    将IGBT结构简化为等效电路，可以看出是双极性晶体管和MOSFET组成的达林顿结构，等效为一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。元件的开通和关断由栅极和发射极之间的电压决定，当电压大于开启电压之后MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流从而使IGBT导通。
    当栅极和发射极之间施加反向电压或者不施加信号后，MOSFET内部沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。