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1.IGBT结构和工作原理
将IGBT结构简化为等效电路,可以看出是双极性晶体管和MOSFET组成的达林顿结构,等效为一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。元件的开通和关断由栅极和发射极之间的电压决定,当电压大于开启电压之后MOSFET内形成沟道,并为晶体管提供基极电流从而使IGBT导通。
当栅极和发射极之间施加反向电压或者不施加信号后,MOSFET内部沟道消失,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断。