2090-CPWM7DF-08AF15 伺服电机

可编程逻辑控制器系统的通信接口应包括串行和并行通信接口、RIO通信口、常用DCS接口等；大中型可编程逻辑控制器通信总线（含接口设备和电缆）应1：1冗余配置，通信总线应符合国际标准，通信距离应满足装置实际要求。
 
可编程逻辑控制器系统的通信网络中，上级的网络通信速率应大于1Mbps，通信负荷不大于60%。可编程逻辑控制器系统的通信网络主要形式有下列几种形式：
 
1）、PC为主站，多台同型号可编程逻辑控制器为从站，组成简易可编程逻辑控制器网络；
 
2）、1台可编程逻辑控制器为主站，其他同型号可编程逻辑控制器为从站，构成主从式可编程逻辑控制器网络；
 
3）、可编程逻辑控制器网络通过特定网络接口连接到大型DCS中作为DCS的子网；
 
4）、专用可编程逻辑控制器网络（各厂商的专用可编程逻辑控制器通信网络）。
 
为减轻CPU通信任务，根据网络组成的实际需要，应选择具有不同通信功能的（如点对点、现场总线、）通信处理器。
 
编程功能
 
离线编程方式：可编程逻辑控制器和编程器公用一个CPU，编程器在编程模式时，CPU只为编程器提供服务，不对现场设备进行控制。完成编程后，编程器切换到运行模式，CPU对现场设备进行控制，不能进行编程。离线编程方式可降低系统成本，但使用和调试不方便。在线编程方式：CPU和编程器有各自的CPU，主机CPU负责现场控制，并在一个扫描周期内与编程器进行数据交换，编程器把在线编制的程序或数据发送到主机，下一扫描周期，主机就根据新收到的程序运行。这种方式成本较高，但系统调试和操作方便，在大中型可编程逻辑控制器中常采用。

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 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管（NDSH25170A、NDSH10170A）让设计人员能够实现在高温高压下稳定运行、同时由SiC赋能高能效的设计。

  安森美执行副总裁兼电源方案部总经理Simon Keeton说：“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率损耗，加强了我们EliteSiC系列产品在性能和品质方面的高标准，同时也进一步扩大了安森美EliteSiC的深度和广度。加上我们的端到端SiC制造能力，安森美提供的技术和供货保证可以满足工业能源基础设施和工业驱动提供商的需求。”

  可再生能源应用正不断向更高的电压发展，其中太阳能系统正从1100 V向1500 V直流母线发展。为了支持这变革，客户需要具有更高击穿电压（BV）值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范围为-15 V/25 V，适用于栅极电压提高到-10 V的快速开关应用，提供更高的系统可靠性。

  在1200 V、40 A的测试条件下，1700 V EliteSiC MOSFET的栅极电荷（Qg）达到领先市场的200 nC，而同类竞争器件的Qg近300 nC。低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高能效至关重要。