innodisk宜鼎 宽温内存条 ddr4 32G 工业内存条
innodisk宜鼎 宽温内存条 ddr4 32G 工业内存条
产品价格:(人民币)
  • 规格:M4U0-BGS2K5IK
  • 发货地:北京
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    商品详情


      宽温系列

      强固型工規級的DIMM系列,是专为极高、极低、或是忽冷忽热的严峻温差环境所设计。我们的内存模块皆通过JEDEC标准,并可在 -40°C~85°C 温度下运作。

      概述:

      ddr4 WT (宽温度) udimm 提供了业界快的内存速度,2666mt / s-完美适合任何车载,监视,自动化和嵌入式应用程序。 这些模块符合所有相关的 jedec 标准,可以在 -40 °c 到85 °c 的温度下工作,有4gb,8gb,16gb 和32gb 的容量。 2133mt / s 和2400mt / s 模块也可用。

      规格:

      Interface DDR4
      Form Factor WT UDIMM
      Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s
      Capacity 4GB, 8GB, 16GB, 32GB
      Function Non-ECC Unbuffered Memory
      Pin Number 288pin
      Width 64Bits
      Voltage 1.2V
      PCB Height 1.23 Inches
      Operating Temperature -40°C to 85°C
      30μ” Golden Finger Y
      Anti-Sulfuration Y

      产品料号:

      Density Component
      Composition
      Part Number Rank Voltage Description
      4GB 512Mx8 M4U0-4GMSJISJ 1Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
      8GB 512Mx8 M4U0-8GMSKISJ 2Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
      16GB 1Gx8 M4U0-AGM1KISJ 2Rx8 1.2V DDR4 2400 WT UDIMM
      32GB 1Gx8 M4U0-BGS2K5IK 2Rx8 1.2V DDR4 2666 WT UDIMM


      宜鼎全面抗硫化技术

      硫在很多环境中都很常见,而在工业环境下,当DRAM中的银合金接触硫化气体时,就会发生腐蚀反应,并降低导电性并导致产品失效。宜鼎所推出的专业抗硫化技术,通过抗硫化ASTM B809-95的严格测试规范,能有效抵御
      环境中的硫化影响。
      提供完美保护展现高效性能
      面对日益严峻的工业环境,我们仍坚持提供品质的产品,硫化气体所带来的威胁,我们率先为全系列DDR4都加入抗硫化技术,为每一件产品提供离保护,以领先业界的产品标准,将产品规格全面提升。
      Innodisk has implemented full anti-sulfuration protection for all DDR4 modules.
      抗硫纳入标准化产品极限再突破
      硫化物对于工业环境是一个潜在威胁,环境中只存在着极少量的硫化气体,它可能造成设备腐蚀。宜鼎抗硫化隔离技术,可以确保DRAM模组完美运行无虞。
      DRAM with Anti Sulfur Protective Layer

      推荐产品: 工业用内存模块


      超低成本,极高回报
      Side Fill 技术是一种简单又经济实惠的强固型解决方案,若您的产品常因极端环境影响,造成维护成本增加,使用Side Fill 技术进行设备强固化,将会是好的解决方案。这种做法不仅节省成本,亦可降低系统当机所带来的损失。


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