光刻胶剥离液 光刻胶去胶液 光刻胶清洗剂 光致抗蚀剂剥离液

产品概述：

光刻胶去胶液（光刻胶剥离液）PL311是针对半导体晶圆芯片制造过程而设计，光刻胶层需要在制造过程结束时，从衬底表面去除。本品采用极性非质子有机溶剂、还原剂、阻蚀剂等成分，科学复配而成，水溶性好，表面张力低，清洗能力强，可以迅速去除光刻胶残留、其它刻蚀残留物、粉尘颗粒物、油污、手印、氧化硅抛光液残留等脏污，不引入任何污染物，洁净度高，对各种衬底材料、镀膜层、金属配线无腐蚀，无毒无刺激性气味，环保安全，对人体与环境友好。

适用范围：

光刻胶去胶液（光刻胶剥离液）PL311用于去除正型光刻胶，以及用于负片的返工处理。适用于半导体晶圆表面、LCD/OLED加工的光刻胶和CMOS图像传感器等返修芯片的红胶，以及电子设备、电子仪器的清洗。

产品特点：

1.去胶速度快，去胶能力强，可迅速去除晶圆表面和衬底金属表面的光刻胶等残留物；

2.光刻胶去胶液（光刻胶剥离液）PL311去除金属离子污染物、粉尘颗粒物，无残留；

3.材料相容性好，对衬底材料及金属配线无腐蚀性；

4.无毒无刺激，不燃不爆，不含ODS（臭氧层破坏物质），符合欧盟RoHS标准。

产品参数：

外观（原液) ：无色透明液体

比重???? ：1.06±0.01

PH值???? ：10—11

气味???? ：无

使用方法：

根据不同要求原液或稀释使用，稀释比例不超过20倍；使用前请咨询我司技术人员！

温度：50-60℃????

时间：5-10分钟

注意：清洗设备建议选择高频超声波清洗，避免因频率过高震伤产品。

注意事项：

如不慎进入眼中应立即用清水冲洗，人工清洗时，请配戴防护手套；??

储存于阴凉干燥处，避免阳光直射

包装规格：

1加仑/桶