抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是综合反应的主要。抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未作用的硅单晶再次裸露出来的动力学过程。它是抑制抛光速率的另一个核心过程。如若化学腐蚀成效大于机械抛光成效，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如若机械磨削成效大于化学腐蚀成效，则表面产生高伤害层！

探擎科技专注物理抛光剂的分析咨询项目：

成分含量分析：对东西中的关键配方树脂成分通过多种大型仪器联用得到相关微观谱图比对谱图数据库定性定量分析出各种成分成分。

辅导研发：在定性定量分析出物理抛光剂配方成份后，若客户有条件，可在一定程度上辅助企业进行研发

配方组分分析还原：通过分析各种成分成分及其比例，解析出物理抛光剂。

不明物诊断：就物理抛光剂中的不明物，抉择其配方树脂成分，辅导客户定性定量分析出该不明物是怎样产生的。

探擎科技定性定量分析物理抛光剂配方成份的实力：

（1）先进的接受仪器：探擎科技独立设立试验场地，具有多台先进仪器，能多领域定性定量分析东西，得到图谱

（2）专业核心的定性定量分析技术员：探擎科技具有致力的分析测试技术员和成功的行业研发研究配方经验，帮客户消除化工配方成份难题。

（3）成功的谱图：探擎科技积累了深厚的配方成份剖析配方经验，具有较大的谱图库。

（4）后面方案：探擎科技能够参照企业需求，专业提供后面跟踪工艺性方案。