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CNW82、CNW83、CNW84和CNW85光耦合器由GaAs红外发射二极管组成,该二极管与NPN光电晶体管光学耦合。CNW82和CNW84没有连接基脚以提高抗扰度。
功能特征
1、 宽体DIL封装,引脚距离为10.16 mm。
2、 2最小爬电距离10 mm。
3、 高电流传输比和低饱和电压,使该器件适用于TTL集成电路。
4、 高度交流和直流绝缘(5900 V(RMS)和8340 V(DC))。
5、 最小外部间隙为9.6 mm,最小外部爬电距离为10 mm。
6、 集电极-发射极击穿电压:50 V(仅CNW82/83)。
7、 UL认可(文件号E90700)