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一、物料概述
ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。该装置适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485不含铅。
二、功能特征
1、-40V,RDS(ON)=13 mΩ(Typ),VGS=-10V
RDS(ON)=17 mΩ(Typ),VGS=-4.5V
2、快速切换
3、低RDS的高密度电池设计(开)
4、材料:无卤素
5、可靠且坚固
6、雪崩额定值
7、低泄漏电流
三、应用
1、PWM应用
2、负载开关
3、便携式/台式电脑的电源管理
4、DC/DC转换