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全球DRAM市场95%以上掌握在前三大厂手中，台湾华邦、旺宏等厂商，仅能在善用产能与提高获利的前提下经营。由于竞争相对缓和，主力大厂在2017年的资本支出，竟然比2016年减少3.8%。因服务器需求高于预期，新制程转换的过程难度也高于预期，而每台设备所搭载的DRAM也相应提高，因此2018年的企业投资仍高于往年。
2018年起，三星量产1ynm(10nm中段级技术)，由于难度比1xnm(10nm级后段技术)高出不少，因此在制程转换上比原先预计的要长。SK海力士也将从2017年下半开始前进1xnm的制程，2018年下半期起比重便显著增加，也进入了1ynm等级的工程技术。
在这种背景下，三星曾明确的表达扩大投资的计画构想，而SK海力士原先计划在2019年启动的增产计画，也提前到2018年下半。
在手机市场上，Mobile DRAM受限于手机市场饱和之苦，但即将来临的5G商机、手机游戏、AR/VR、4K影像、智慧城市等领域都将带来庞大的机会。手机搭载DRAM平均容量从3GB起跳，2019年甚至上看10GB；2018年出货的iPhone Xs已使用每层4GB的双层DRAM架构。
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相较于DRAM的积极投资，韩国双雄在NAND的投资反而保守。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态，三星必须积极投资，而SK海力士也必须力争上游。所以各厂的投资都很积极，并往3D多层化的方向进展。
NAND同样必须以良率在市场上竞争，加以十分耗电，因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND在10xnm阶段便遭遇技术压力，因此三星、东芝(Toshiba)都向3D发展。相较于2017年，三星2018年的资本支出会少一点点，但比起往年仍是大幅成长，而SK海力士、美光(Micron)则是积极回应市场的需求。
目前三星以64层NAND为主力，2018年下半推进到96层，2019年初便会进展到128层。另外，英特尔(Intel)与美光也在2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。
为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆叠技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产技术已经完全克服，而64层的产品在总产量中的比重也将持续提高，借以取得更好的竞争优势。
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