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某些沉积在硅表面的金属杂质，而不是被驱动到体中，可以表现为有效的表面重组中心或可能引入表面电荷。我们对重金属对表面电荷和表面重组的影响的研究才刚刚开始，我们的知识仍然相当有限。到目前为止，我们已经确定了p型10t2cm硅表面的铜对势垒高度（表面电荷）有相当有限的影响，但对表面重组有显著的影响。图1显示了铜对故意被铜污染的p型硅片表面电荷的影响。这些晶圆在污染前用SC-1、SC-2溶液清洗，铜从被铜盐污染的BHF中沉积下来，浓度在1ppb到1ppm之间。 随后用去离子水冲洗样品。用TXRF测定相应的铜浓度。除非铜表面浓度超过少数1014cm-2，否则其对表面电荷的影响不明显。铜对表面重组的影响更为明显。图2显示了暴露于100ppbCu污染BHF和未污染(铜浓度分别为1.5X1014和1X1011cm-2)的两个样品的SPV函数，这是在DI冲洗后测量的。